数据列表

QS6Z5TR

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

350mV @ 25mA，500mA / 400mV @ 25mA，500mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

180 @ 50mA，2V

供应商器件封装 :

TSMT6（SC-95）

功率 - 最大值 :

1.25W

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN，PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

1µA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

1A

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

360MHz，400MHz