- 系列:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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53 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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IXYS-RF | MOSFET N-CH 1000V 24... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 26... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 26... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 65... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 78... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 20... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 43... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 20... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 40... |
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 18... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 78... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 43... |
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 33... |
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