系列:
零件状态:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A...
-
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2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage
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2SK3711 Sanken
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TK12J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage
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