功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPB65R280C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13....
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IPB65R190C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20....
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MOSFET N-CH 650V 20....
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MOSFET N-CH 650V 20....
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IPB60R950C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4...
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IPB60R950C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4...
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IPB60R950C6ATMA1 Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 650V 11A...
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MOSFET N-CH 650V 11A...
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IPB65R225C7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A...
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IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A...
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IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A...
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MOSFET N-CH 650V 46A...
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HUF76419S3ST-F085 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A...
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MOSFET N-CH 100V 39A...
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MOSFET N-CH 100V 39A...
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HUF76639S3ST-F085 ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 51A...
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