晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

包装：

工作温度：

安装类型：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

FET 功能：

已选条件：

7,046 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
RS1E280GNTB	-	MOSFET N-CH 30V 28A...	¥2.78	2,500	2,500	加入购物车提交询价
RHU003N03FRAT106	Rohm Semiconductor	4V DRIVE NCH MOSF...	-	1	1,849	提交询价
RHU003N03FRAT106	Rohm Semiconductor	4V DRIVE NCH MOSF...	¥2.76	1	1,849	加入购物车提交询价
RHU003N03FRAT106	Rohm Semiconductor	4V DRIVE NCH MOSF...	¥0.47	3,000	580	加入购物车提交询价
2SK3019-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNEL MOSFET...	-	1	2,021	提交询价
2SK3019-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNEL MOSFET...	¥2.76	1	2,021	加入购物车提交询价
2SK3019-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNEL MOSFET...	¥0.45	3,000	580	加入购物车提交询价
RMW130N03TB	-	MOSFET N-CH 30V 13A...	-	1	4,891	提交询价
RMW130N03TB	-	MOSFET N-CH 30V 13A...	¥7.11	1	4,891	加入购物车提交询价
RMW130N03TB	-	MOSFET N-CH 30V 13A...	¥2.76	1	2,500	加入购物车提交询价
DMN33D8LT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.11...	-	1	5,653	提交询价
DMN33D8LT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.11...	¥2.76	1	5,653	加入购物车提交询价
DMN33D8LT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.11...	¥0.35	10,000	580	加入购物车提交询价
SSM3K15ACT,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 0.1A...	-	1	9,462	提交询价
SSM3K15ACT,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 0.1A...	¥2.76	1	9,462	加入购物车提交询价
SSM3K15ACT,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 0.1A...	¥0.33	10,000	580	加入购物车提交询价
IRLR7821TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 65A...	-	1	580	提交询价
IRLR7821TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 65A...	¥7.27	1	692	加入购物车提交询价
IRLR7821TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 65A...	¥2.73	1	10,000	加入购物车提交询价
SSM3K15ACTC,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 100M...	-	1	6,960	提交询价

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